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      美國FEI Quanta 650FEG掃描電鏡
      • 美國FEI Quanta 650FEG掃描電鏡

      美國FEI Quanta 650FEG掃描電鏡

      類別: 顯微鏡 - 掃描電鏡
      品牌: 美國FEI
      點擊量:113
      銷售電話:13953259481

      產品介紹

      • 技術參數
      • 產品詳細

      美國FEI Quanta 650FEG掃描電鏡

      美國FEI Quanta 650FEG掃描電鏡

      研究各種各樣的材料,并進行結構和成份表征,是目前對掃描電鏡的主流應用要求。FEI Quanta FEG系列靈活、通用,足以應對當今人們廣博的研究方向這一挑戰。“分析任何樣品,得到所有數據”,在Quanta FEG上可得到表面像和成份像,并可輔以多種附件來確定材

      美國FEI Quanta 650FEG掃描電鏡

      料的性質和元素組成。


      Quanta 50 FEG系列是基于前兩代成功的肖特基場發射環境掃描技術開發的第三代Quanta系列產品。這一系列產品用戶界面使用起來十分方便、靈活,有多種功能最大程度地發揮其使用效率,并且允許采集所有需要的數據。它是電鏡專家設計來給電鏡專家使用的儀器,性能遠不止“簡便易用”。這些功能有:特有的圖像導航功能包括蒙太奇圖像導航、鼠標雙擊樣品臺移動、鼠標拖曳放大居中功能以及其它標準的特色技術;SmartSCAN,一種智能掃描技術,能降低信號噪音,提供更好的數據;電子束減速模式,一個新的選項,將鎢燈絲掃描電鏡的低加速電壓性能提高到一個全新的水平;Nav-Cam彩色圖像導航器及新開發的探測器也大大增加了其靈活性。

      美國FEI Quanta 650FEG掃描電鏡

      一、主要優點


      1)世界上唯一具有環境掃描技術的高分辨場發掃描電鏡


      2)在各種操作模式下分析導電和不導電樣品,得到二次電子像和背散射電子像


      3)最大程度降低樣品制備要求:低真空/環境真空技術使得不導電樣品和/或含水樣品不經導電處理即可直接成像和分析,樣品表面無電荷累積現象


      4)專利的“穿過透鏡”的壓差真空系統,對導電和不導電樣品都可進行EDS/EBSD分析,不管是在高真空模式或在低真空模式。穩定的大束流(最大 200 nA)確保能譜及EBSD分析工作的快速、準確


      5)電鏡可作為一個微觀實驗室。安裝特殊的原位樣品臺后,在從- 165 °C到1500 °C溫度范圍內,對多種樣品保持其原始狀態下進行動態原位分析


      6)對導電樣品,可選用減速模式得到表面和成份信息


      7)直觀、簡便易用的軟件,即使電鏡新手也能輕易上手



      二、典型應用:


      1、納米表征


      1)金屬及合金, 氧化/腐蝕, 斷口, 焊點, 拋光斷面, 磁性及超導材料


      2)陶瓷, 復合材料, 塑料


      3)薄膜/涂層地質樣品斷面, 礦物


      4)軟物質: 聚合物, 藥品, 過濾膜, 凝膠, 生物組織, 木材


      5)顆粒, 多孔材料, 纖維


      2、原位過程分析


      1)增濕/去濕


      2)浸潤行為/接觸角分析


      3)氧化/腐蝕


      4)拉伸 (伴隨加熱或冷卻)


      5)結晶/相變


      3、納米原型制備


      1)電子束曝光 (EBL)


      2)電子束誘導沉積(EBID)



      三、主要參數


      1、電子光學


      1)高分辨肖特基場發射電子槍


      2)優化的高亮度、大束流鏡筒


      3)45°錐度物鏡極靴,及“穿過透鏡”的壓差真空系統,加熱式物鏡光闌


      4)加速電壓: 200 V - 30 kV


      5)束流: 最大200 nA并連續可調


      6)放大倍數: 6 x 1,000,000 x (四幅圖像顯示)


      2、分辨率


      1)高真空


      30 kV下0.8 nm (STEM)*


      30 kV下1.0 nm (SE)


      30 kV下2.5 nm (BSE)*


      1 kV下3.0 nm (SE)


      2)高真空下減速模式*


      1 kV下3.0 nm (BSE)*


      1 kV下2.3 nm (ICD)*


      200 V下3.1 nm (ICD)*


      3)低真空


      30 kV下1.4 nm (SE)


      30 kV下 2.5 nm (BSE)


      3 kV下3.0 nm (SE)


      4)環境真空 (ESEM)


      30 kV下1.4 nm (SE)



      3、檢測器


      1)E-T二次電子探頭


      2)大視場低真空氣體二次電子探頭 (LFD)


      3)氣體二次電子探頭 (GSED)


      4)樣品室紅外CCD相機


      5)高靈敏度、低電壓固體背散射探頭*


      6)氣體背散射探頭*


      7)四分固體背散射探頭*


      8)閃爍體型背散射探頭/CLD*


      9)vCD (低電壓、高襯度探頭)*


      10)鏡筒內探頭(ICD),用于減速模式下二次電子檢測*


      11)電子束流檢測器*


      12)分析型氣體背散射探頭 (GAD)*


      13)STEM探頭*


      14)Nav-Cam 光學相機彩色成像,用于樣品導航*


      15)陰極熒光探測器*


      16)能譜*


      17)波譜*


      18)EBSD*


      19)極靴底部安裝四環分隔式定向型背散射電子探頭 (DBS)


      4、真空系統


      1)1個 250 l/s 渦輪分子泵, 2個機械泵


      2)專利的“穿過透鏡”的壓差真空系統


      3)電子束在氣體區域的行程:10 mm或2 mm


      4)可升級成無油機械泵


      5)2個離子泵


      6)樣品室真空度 (高真空模式) < 6e-4 Pa


      7)樣品室真空度(低真空模式) < 10 to 130 Pa


      8)樣品室真空度(環境真空模式) < 10 to 4000 Pa


      9)典型換樣時間: 高真空模式≤ 150秒;低真空及環境真空模式≤ 270秒 (FEI標準測試程序)


      5、樣品室


      1)左右內徑379mm


      2)10 mm分析工作距離


      3)10個探測器 / 附件接口


      4)EDS采集角: 35°


      6、樣品臺


      1)X/Y = 150 mm


      2)Z = 65 mm


      3)Z向間隙93.5mm


      4)傾斜:- 5° - + 70°


      5)連續旋轉360°


      6)重復精度: 2 μm (X/Y方向)


      7)偽全對中樣品臺


      7、圖像處理器


      1)最大6144 x 4096像素


      2)圖像文件格式:TIFF (8,16 or 24 bit), BMP or JPEG


      3)單窗口或四窗口圖像顯示


      4)四活動窗口


      5)實時或靜態按彩色或按灰度等級信號混合


      6)256 幀平均或積分


      7)數字動畫記錄 (.avi格式)


      8)直方圖及圖像測量軟件


      9)DCFI (漂移補償積分)


      8、支持軟件


      1)SmartSCAN 智能掃描技術


      2)蒙太奇圖像導航


      3)軟件溫度控制


      4)FEI動畫生成工具


      留言評論
      孫先生 發表于 2021-04-19
      想購買一臺場發射掃描電鏡
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